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ハイライト
8x放出走査型電子顕微鏡
,ショットキー銃の放出走査型電子顕微鏡
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解決1.5nm@15KV(SE); 3nm@20KV(BSE)
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倍率1x~600000x
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電子銃ショットキー放出型電子銃
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加速電圧0~30KV
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真空システムイオンポンプ、ターボ分子ポンプ、回転ポンプ
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試料ステージ5軸ユーセントリック電動ステージ
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電子ビーム電流10pA～0.3μA
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最大試験片直径175mm
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起源の場所中国
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ブランド名CNOEC, OPTO-EDU
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証明CE,
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モデル番号A63.7080
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文書
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最小注文数量1 pc
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価格FOB $1~1000, Depend on Order Quantity
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パッケージの詳細輸出交通機関のためのカートンのパッキング、
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受渡し時間5 〜 20 日
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支払条件T/T、ウェストユニオン、ペイパル
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供給の能力5000 PC 月
1x~600000x エミションスキャン電子顕微鏡 ショットキーガン A63.7080 Std Feg Sem
| A63.7080、A63.7081 ソフトウェアの主な機能 | ||
| 高電圧統合試運転 | 自動フィラメントオン/オフ | 潜在的なシフト規制 |
| 明るさ調整 | 電気から中央への調整 | 自動明るさ |
| コントラスト調整 | 対物レンズ調整 | オートフォーカス |
| 倍率調整 | 客観的消磁 | 自動乱視除去 |
| 選択範囲スキャンモード | 電動回転調整 | 顕微鏡パラメータの管理 |
| ポイントスキャンモード | 電子線変位調整 | 走査フィールドサイズのリアルタイム表示 |
| ラインスキャンモード | 電子線チルト調整 | ガンレンズの調整 |
| 表面スキャン | スキャン速度調整 | マルチチャンネル入力 |
| 高圧電力監視 | スイングセンタリング | 定規測定 |
| SEM | A63.7069 A63.7069-L A63.7069-LV |
A63.7080 A63.7080-L |
A63.7081 |
| 解決 | 3nm@30KV(SE) 6nm@30KV(BSE) |
1.5nm@30KV(SE) 3nm@30KV(BSE) |
1.0nm@30KV(SE) 3.0nm@1KV(SE) 2.5nm@30KV(BSE) |
| 倍率 | 1倍〜450000倍、負の真の倍率 | 1x～600000x、負の真の倍率 | 1x~3000000x 負の真の倍率 |
| 電子銃 | 事前にセンタリングされたタングステン フィラメント カートリッジ | ショットキー電界放出銃 | ショットキー電界放出銃 |
| 電圧 | 加速電圧0.2～30kV、連続調整可能、ステップ調整 100V@0-10Kv、1KV@10-30KV | ||
| クイックビュー | ワンキークイックビュー画像機能 | 該当なし | 該当なし |
| レンズシステム | 3段電磁テーパーレンズ | 多段電磁テーパーレンズ | |
| 絞り | 3つのモリブデン対物絞り、真空システムの外側で調整可能、絞りを変更するために対物レンズを分解する必要はありません | ||
| 真空システム | 1 ターボ分子ポンプ 1 機械式ポンプ サンプル室真空度>2.6E-3Pa 電子銃室真空度>2.6E-3Pa 全自動真空制御 真空インターロック機能 オプションのモデル: A63.7069-LV 1 ターボ分子ポンプ 2機械式ポンプ サンプル室真空度>2.6E-3Pa 電子銃室真空度>2.6E-3Pa 全自動真空制御 真空インターロック機能 低真空範囲 10~270Pa、90 秒のクイックスイッチ BSE(LV) の場合 |
1 イオンポンプセット 1 ターボ分子ポンプ 1 機械式ポンプ サンプル室真空度>6E-4Pa 電子銃室真空度>2E-7Pa 全自動真空制御 真空インターロック機能 |
1 スパッタイオンポンプ 1 ゲッターイオン化合物ポンプ 1 ターボ分子ポンプ 1 機械式ポンプ サンプル室真空度>6E-4Pa 電子銃室真空度>2E-7Pa 全自動真空制御 真空インターロック機能 |
| 検出器 | SE：高真空二次電子検出器（検出器保護付） | SE：高真空二次電子検出器（検出器保護付） | SE：高真空二次電子検出器（検出器保護付） |
| BSE: 半導体 4 セグメンテーション 後方散乱検出器 |
オプション | オプション | |
| オプションのモデル: A63.7069-LV BSE(LV): 半導体 4 セグメンテーション 後方散乱検出器 |
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| CCD:赤外線CCDカメラ | CCD:赤外線CCDカメラ | CCD:赤外線CCDカメラ | |
| ポートの拡張 | 2 サンプルルームのポートを拡張 EDS、BSD、WDSなど |
4 サンプルルームのポートを拡張する BSE、EDS、BSD、WDSなど |
4 サンプルルームのポートを拡張する BSE、EDS、BSD、WDSなど |
| 試料ステージ | 5軸ステージ4自動+1マニュアルコントロール 移動範囲: X=70mm、Y=50mm、Z=45mm、 R=360°、T=-5°～+90°(手動) タッチアラート＆ストップ機能 オプションモデル: A63.7069-L5軸自動大型ステージ |
5軸自動 真ん中ステージ 移動範囲: X=80mm、Y=50mm、Z=30mm、 R=360°、T=-5°～+70° タッチアラート＆ストップ機能 オプションモデル: A63.7080-L5軸自動 大きいステージ |
5軸自動 大きいステージ 移動範囲: X=150mm、Y=150mm、Z=60mm、 R=360°、T=-5°～+70° タッチアラート＆ストップ機能 |
| 最大標本 | 直径175mm、高さ35mm | 直径175mm、高さ20mm | 直径340mm、高さ50mm |
| 画像システム | 実際の静止画最大解像度 4096x4096 ピクセル、 画像ファイル形式：BMP(デフォルト)、GIF、JPG、PNG、TIF |
実際の静止画最大解像度 16384x16384 ピクセル、 画像ファイル形式：TIF（デフォルト）、BMP、GIF、JPG、PNG ビデオ: デジタル .AVI ビデオを自動録画 |
実際の静止画最大解像度 16384x16384 ピクセル、 画像ファイル形式：TIF（デフォルト）、BMP、GIF、JPG、PNG ビデオ: デジタル .AVI ビデオを自動録画 |
| コンピュータとソフトウェア | PC ワークステーション Win 10 システム、SEM 顕微鏡操作全体を完全に制御するためのプロフェッショナルな画像分析ソフトウェア、Inter I5 3.2GHz 以上のコンピューター仕様、4G メモリ、24 インチ IPS LCD モニター、500G ハードディスク、マウス、キーボード | ||
| 写真展示 | 画像レベルは豊富で細心の注意を払っており、リアルタイムの倍率、定規、電圧、グレーカーブを表示します | ||
| 寸法 ＆ 重さ |
顕微鏡本体 800x800x1850mm 作業テーブル 1340x850x740mm 総重量 400Kg |
顕微鏡本体 800x800x1480mm 作業テーブル 1340x850x740mm 総重量 450Kg |
顕微鏡本体 1000x1000x1730mm 作業テーブル 1330x850x740mm 総重量 550Kg |
| オプションのアクセサリ | |||
| オプションのアクセサリ | A50.7002EDS エネルギー分散型 X 線分光計 A50.7011イオンスパッタリングコーター |
A50.7001BSE後方散乱電子検出器 A50.7002EDS エネルギー分散型 X 線分析装置 A50.7011イオンスパッタリングコーター A50.7030電動制御パネル |
A50.7001BSE後方散乱電子検出器 A50.7002EDS エネルギー分散型 X 線分析装置 A50.7011イオンスパッタリングコーター A50.7030電動制御パネル |
| A50.7001 | BSE検出器 | 半導体 4 セグメント後方散乱検出器; 成分A+B、形態情報ABで入手可能。 利用可能なサンプルは、金をスパッタリングせずに観察します。 グレースケール マップから不純物と分布を直接観察できます。 |
| A50.7002 | EDS（X線検出器） | 軽元素分析の低エネルギー X 線透過を最適化する窒化ケイ素 (Si3N4) ウィンドウ。 優れた解像度と高度な低ノイズ電子機器により、優れたスループット パフォーマンスが実現します。 設置面積が小さいため、理想的な形状と Aata 収集条件を確保できる柔軟性が得られます。 検出器には30mm2のチップが含まれています。 |
| A50.7003 | EBSD (電子線後方散乱回折) | ユーザーは、材料の結晶方位、結晶相、微細組織、および関連材料の性能などを分析できます。 EBSDカメラ設定の自動最適化 データ収集中に、インタラクティブなリアルタイム分析を実行して、最大限の情報を取得します。 すべてのデータにはタイムタグが付けられており、いつでも表示できます 高解像度 1392 x 1040 x 12 スキャンおよびインデックス速度: 198 ポイント/秒、Ni を標準として、2~5nA の条件下でインデックス率 ≥99% を保証できます。 低ビーム電流および100pAで5kVの低電圧条件下で良好に動作します。 方位測定精度：0.1度以上 Triplex インデックス システムの使用: 単一バンド定義に依存する必要がなく、低品質のパターンのインデックス作成が簡単 専用データベース：電子回折により得られるEBSD専用データベース：>400相構造 インデックス機能: 7 つの結晶系のすべての結晶材料を自動的にインデックスできます。 詳細オプションには、弾性剛性 (弾性剛性)、テイラー (テイラー) 係数、シュミット (シュミット) 係数などの計算が含まれます。 |
| A50.7010 | コーティング機 | ガラス保護シェル: ∮250mm;高さ340mm。 ガラス処理チャンバー: ∮88mm;高さ140mm、∮88mm;高さ57mm。 試料ステージサイズ: ∮40mm (最大)。 真空システム:分子ポンプと機械ポンプ; 真空検出: ピラニゲージ; 真空度: 2 X 10-3 Pa より優れています。 真空保護: 20 Pa マイクロスケール膨張バルブ付き。 試料の移動: 平面回転、傾斜歳差運動。 |
| A50.7011 | イオンスパッタリングコーター | ガラス処理チャンバー: ∮100mm;高さ130mm。 試料ステージサイズ:∮40mm(6つの試料カップを保持); ゴールデンターゲットサイズ:∮58mm*0.12mm(厚さ)。 真空検出: ピラニゲージ; 真空保護: 20 Pa マイクロスケール膨張バルブ付き。 媒体ガス：アルゴンまたは空気、アルゴンガス特別な空気入口とマイクロスケールで調整されるガス。 |
| A50.7012 | アルゴンイオンスパッタリングコータ | サンプルは高真空下でカーボンと金でメッキされました。 回転可能なサンプルテーブル、均一なコーティング、粒子サイズ約3-5nm。 ターゲット材料を選ばず、サンプルにダメージを与えません。 イオンクリーニングとイオンシンニングの機能を実現できます。 |
| A50.7013 | 臨界点乾燥機 | 内径: 82mm、内径: 82mm。 圧力範囲:0-2000psi; 温度範囲:0°-50°C (32°-122°F) |
| A50.7014 | 電子ビームリソグラフィー | 走査電子顕微鏡に基づいて、新しいナノ露光システムが開発されました。 この修正では、ナノスケールの線幅画像を作成するためのすべての SEM 機能が維持されています。 修正されたEblシステムは、マイクロエレクトロニクスデバイス、オプトエレクトロニクスデバイス、Quantunデバイス、マイクロエレクトロニクスシステムの研究開発に広く適用されています。 |
| A63.7080、A63.7081 標準消耗品の衣装 | |||
| 1 | 電界放出フィラメント | 顕微鏡に設置 | 1個 |
| 2 | サンプルカップ | 直径13mm | 5個 |
| 3 | サンプルカップ | 直径32mm | 5個 |
| 4 | カーボン両面導電テープ | 6mm | 1パッケージ |
| 5 | 真空グリース | 10個 | |
| 6 | 無毛布 | 1本のチューブ | |
| 7 | 研磨ペースト | 1個 | |
| 8 | サンプルボックス | 2袋 | |
| 9 | 綿棒 | 1個 | |
| 10 | オイルミストフィルター | 1個 | |
| A63.7080、A63.7081 標準ツールと部品の衣装 | |||
| 1 | 内六角スパナ | 1.5mm～10mm | 1セット |
| 2 | ピンセット | 長さ100～120mm | 1個 |
| 3 | マイナスドライバー | 2*50mm、2*125mm | 2個 |
| 4 | 十字ドライバー | 2*125mmm | 1個 |
| 5 | 通気管をきれいにする | Dia.10/6.5mm(外径/内径) | 5m |
| 6 | ベント減圧弁 | 出力圧力 0～0.6MPa | 1個 |
| 7 | 内部ベーキング電源 | 0-3A DC | 2個 |
| 8 | UPS電源 | 10kVA | 2個 |
| 走査型電子顕微鏡サンプル調製装置 | ||
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