-
ハイライト
EBL電子ビームリトグラフィーマシン
,電子ビームリトグラフィースキャン顕微鏡
,OPTO-EDU A63.7010 リトグラフィーマシン
-
標準的な装置レーザー干渉計ステージ
-
ステージ旅行≤105mm
-
画像解像度≤1nm@15kV; ≤1.5nm@1kV
-
ビーム電流密度>5300A/cm2
-
最小ビームスポットサイズ≤2nm
-
電子ビームシャッター立ち上がり時間 < 100ns
-
起源の場所中国
-
ブランド名CNOEC, OPTO-EDU
-
証明CE,
-
モデル番号A63.7010
-
文書
-
最小注文数量1個
-
価格FOB $1~1000, Depend on Order Quantity
-
パッケージの詳細輸出交通機関のためのカートンのパッキング、
-
受渡し時間180日
-
支払条件T/T、ウェストユニオン、ペイパル
-
供給の能力5000 PC月
OPTO-EDU A63.7010 EBL 電子ビーム描画装置
| ステージ仕様 | |
| 標準装備 | レーザーインターフェロメーターステージ |
| ステージ旅行 | ≤105mm |
| 電子銃とイメージングの仕様 | |
| ショットキー・フィールド・エミッション・ガン | 加速電圧 2OV~30kV 側側二次電子検出器と レンズ内電子検出器 |
| 画像解像度 | ≤1nm@15kV≤1.5nm@1kV |
| 波動の密度 | >5300A/cm2 |
| 最小光線点の大きさ | ≤2nm |
| リトグラフィー 仕様 | |
| 電子ビームシャッター | 上昇時間 < 100 ns |
| 執筆分野 | ≤500×500 ええと |
| 単一露出線最小幅 | 10±2nm |
| スキャン速度 | 25 MHz/50 MHz |
| グラフィック・ジェネレーターのパラメータ | |
| コントロール・コア | 高性能FPGA |
| 最大スキャン速度 | 50 MHz |
| D/A 決議 | 20ビット |
| サポートされる書き込みフィールドサイズ | 10ミリ~500ミリ |
| ビームシャッター サポート | 5VTTL |
| 最低滞在時間の増加 | 10ns |
| サポートされているファイル形式 | GDSIl,DXF,BMPなど |
| ファラデーカップビーム電流測定 | 含まれている |
| 接近効果の修正 | 選択可能 |
| レーザーインターフェロメーターステージ | 選択可能 |
| スキャンモード | 連続型 (Z型),蛇形型 (S型),スパイラル型,その他のベクトルスキャンモード |
| 曝露モード | フィールド校正,フィールド縫合,オーバーレイ,および多層自動曝露をサポート |
| 外部のチャネルサポート | 電子ビームスキャニング,ステージ移動,ビームシャッター制御,および二次電子検出をサポートします. |
|
|
レーザーインターフェロメーターステージ レーザーインターフェロメーターステージ: 大筋,高精度縫合と覆いのための要件を満たす高度なレーザーインターフェロメーターステージ |
|
フィールド・エミッション・ガン 高解像度のフィールド放出銃は,リトグラフィーの質の重要な保証です |
|
|
|
グラフィック・ジェネレーター 超高性能な高解像度超高速スキャンを保証しながらパターン描画 |
| A63.7010 VS ライス 150 2 | ||
| デバイスモデル | OPTO-EDU A63.7010 (中国) | ライト 150 2 (ドイツ) |
| 加速電圧 (kV) | 30 | 30 |
| ミニ ビームスポット直径 (nm) | 2 | 1.6 |
| ステージサイズ (インチ) | 4 | 4 |
| 最小線幅 (nm) | 10 | 8 |
| 縫合精度 (nm) | 50〜35nm | 35 |
| オーバーレイ精度 (nm) | 50〜35nm | 35 |
関連製品
当社の製品は世界中で販売されています。当社の製品の全プロセスにご安心ください。